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TB0640L - TB3500L
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Symbol
V DRM
I DRM
V BR
I BR
V BO
I BO
I H
V T
I PP
C O
Parameter
Stand-off Voltage
Leakage current at stand-off voltage
Breakdown voltage
Breakdown current
Breakover voltage
Breakover current
Holding current (Note 5)
On state voltage
Peak pulse current
Off-state capacitance (Note 6)
Notes:
5. I H > (V L /R L ) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge recovery time does not
exceed 30ms.
6. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V RMS signal, V R = 2V DC bias.
I
I PP
I BO
I H
I BR
I DRM
V T
V BR
V
V DRM
V BO
100
1.2
1.15
10
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
0.9
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150 175
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
TB0640L - TB3500L
Document number: DS30359 Rev. 9 - 2
3 of 5
www.diodes.com
May 2011
? Diodes Incorporated
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